单晶锗知识点,首要说锗回收的地方

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单晶锗,需要以下从几方面进行详解。

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绕不开,锗元素是脆性的而不是延展性的;其晶体中的原子排列方式与金刚石中的碳原子一样。锗的电学和半导体特性可与硅相媲美。它在室温下不受空气侵蚀。
锗的两种最重要的化合物是二氧化物和四氯化物。锗酸盐是通过用碱性氧化物加热二氧化物形成的,包括锗酸锌 ,用作磷光体(一种在受辐射激发时发光的物质)。四氯化物作为从其天然来源获得锗的中间体已被提及,它是一种挥发性、无色液体,在约 -50°C时冻结并在 84°C时沸腾。

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第一方面通常情况下,我国制造商控制着大部分市场,生产8%的锗及其化合物,生产这种元素的中间成分之一是四氟化锗,它是无色的液体,如果你遇到这样的化学物质,它会立即开始鱼空气中的水分发生反应,产生盐酸和二氧化锗的烟雾。如今这种化学物质在生产半导体质量的锗以及还原后的光纤生产中产生,纯锗看起来像锑或者硅,但是与其他金属相比,这看起来更加苍白,它的化学性质并不特别,并且与硅非常的相似,就像硅锗是一种半导体,这意味着它仅在某些特定的条件下能传导电流。自从1950年代以来,锗的这一特性一直被用于制造锗晶体管,锗促进了半导体技术和电子学的发展,但是随着时间的流逝,这些元素的价格不断增长。除了今天制造太阳能之外,锗晶体管也可以在吉他效果器中找到。

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另一方面是因为用于电子设备、锗锭或方坯需要进一步提纯,这通常通过区域精炼技术来实现。然后通过添加微量的砷、镓或其他元素来熔化和“掺杂”高纯度锗,以产生所需的电子特性。最后,使用晶种作为核心,在精心控制的温度下从熔体中生成单晶。锗单晶是在氮气或氦气气氛中从熔融材料中生长出来的。然后通过掺杂(注入)电子供体或受体原子将它们转化为半导体,方法是在晶体生长期间将杂质掺入熔体中或通过扩散晶体形成后的杂质。

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不管怎么样俄罗斯化学家德米特里·门捷列夫( Dmitri Mendeleev )在他 1869 年关于化学元素周期律的报告中预测了几种未知化学元素的存在,其中一种可以填补位于硅和锡之间的碳族的空白。由于它在元素周期表中的位置,门捷列夫称其为ekasilicon,他估计其原子量为 70(后来为 72)。
1885 年中期,在萨克森州弗赖贝格附近的一个矿场,发现了一种新矿物,因其含银量高而命名为银银矿。化学家Clemens Winkler分析了这种新矿物,证明它是银、硫和一种新元素的组合。温克勒在 1886 年能够分离出这种新元素,并发现它与锑相似。他最初认为新元素是 eka-锑,但很快就确信它是eka-silicon。在温克勒发表他对新元素的研究结果之前,他决定将他的元素命名为镎,因为最近在 1846 年发现了海王星,在此之前同样有过对其存在的数学预测。然而,“镎”这个名称已经被赋予了另一个被提议的化学元素(尽管不是今天名为镎的元素,它是在 1940 年发现的)。因此,温克勒将新元素命名为锗(来自拉丁语Germania,表示德国)以纪念他的祖国。Argyrodite 凭经验证明是 Ag 8 GeS 6。因为这种新元素与砷元素有一些相似之处和锑,它在元素周期表中的适当位置正在考虑中,但它与德米特里门捷列夫预测的元素“ekasilicon”的相似性证实了它在元素周期表中的位置。1887 年,温克勒从萨克森矿山的 500 公斤矿石中获得了进一步的材料,证实了新元素的化学性质。 他还确定了72.32 的原子量分析纯四氯化锗( GeCl4),而Lecoq de Boisbaudran通过比较元素火花光谱中的线推断出 72.3。
直到 1930 年代后期,锗一直被认为是一种导电性较差的金属。直到 1945 年,当它作为电子半导体的特性得到认可时,锗才具有经济意义。二战期间,少量锗被用于一些特殊的电子设备,主要是二极管。第一个主要用途是在战争期间用于雷达脉冲检测的点接触肖特基二极管。第一个硅锗合金于 1955 年获得。1945年以前,冶炼厂每年只生产几百公斤的锗,但到1950年代末,全球年产量已达到40公吨。

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在回收变废为宝单晶锗过程中的业务总结

目标和努力都是成功的要素。靶子在前枪在手,意味着你已经有了目标和 实现目标的基本条件。但是,你能否击中靶心?这依赖于你的枪法。而枪法是 练出来的,需要付岀相当努力才行。

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